仪器科学与技术学科(按姓名拼音排序)
教师队伍
正高职称
冷群文
性 别： 男
研究方向： 1.研究方向一 自旋微机电传感技术 2.研究方向二 纳米材料与微纳工艺 3.研究方向三 异质集成与封装技术
联系电话： 13072125988
电子邮件： qleng@bitjx.edu.cn
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个人简介
冷群文教授是我国自旋电子学材料与器件研究领域的杰出专家，在学术研究及产业化应用方面深耕三十余载，取得了丰硕的成果。他累计获得国内外发明专利授权100余项，其中美国专利占比超过60%；在领域内顶级期刊和会议上发表高水平论文50余篇，出版英文专著3部；作为特邀专家主持或参与Intermag、TMRC等国际知名学术会议50余次，在学术界和产业界均具有重要影响力。
在产业实践方面，冷教授曾担任美国西部数据公司（全球磁存储硬盘行业头部企业）首席研发专家，主持十余代基于隧道磁阻（TMR）技术的硬盘驱动器磁头研发工作，累计研发经费逾千万美元。他带领团队成功突破了磁硬盘存储千兆比特容量瓶颈，为行业发展作出重大贡献。凭借卓越的技术成就，他多次获得公司最高荣誉，包括杰出技术成就奖、特别总裁奖、特别人才奖、领导能力奖（西部数据研发领域最高奖项）、年度发明专利奖等多项殊荣。
在担任歌尔微电子（微机电系统领域头部企业）副总裁期间，冷教授主持了《新一代MEMS麦克风研发及产业化》重大研发项目。该项目创新性地将巨磁阻效应与MEMS结构相结合，成功实现"机械-磁场-电压"信号转换，攻克了自旋电子纳米级磁场空间分辨与MEMS微米级应变精度的精准匹配技术难题，研制出全新结构的新一代自旋MEMS麦克风，其信噪比性能显著超越传统产品，为MEMS声学传感器领域带来革命性突破。
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教育经历
1.本科 1980.09-1985.07，清华大学，近代物理学
2.硕士 1985.09-1988.11，中科院物理所，物理学
3.博士 1991.11-1994.06，德国 科隆大学，物理学 -
工作经历
1.访问学者 1994.01-1995.01，德国马克斯普朗克微结构物理研究所
2.博士后 1995.01-1996.05，美国阿拉巴马大学信息技术材料中⼼
3.首席工程师 1996.12-2000.05，美国里德赖特公司
4.首席工程师 2001.08-2004.03，美国千兆比特光学公司
5.研发总监 2005.08-2015.12，美国西部数据公司
6.副总经理 2016.10-2023.06，美国歌尔微电子公司
7.特聘教授 2024.05-至今，北京理工大学/北京理工大学长三角研究院（嘉兴） -
研究领域
1.自旋电子学与工程
2.磁传感器与模组
3.磁存储器工程
4.仪器仪表 -
代表性学术成果
【近几年研究论文】：
1.Weibin Chen, Yixuan Lin, Kun Zhang, Zhiqiang Cao, Xiaonan Zhao, Zitong Zhou, Xiaolong Wang, Shaohua Yan, Honglei Du, Qunwen Leng*, Shishen Yan*，Spin Orbit Torque Locally Controlling Exchange Bias to Realize High Detection Sensitivity of Two-dimensional Magnetic Field，Fundamental Research 2023，ISSN 2667-3258,11/2/2023;
2.Tie Zhou, Sai Zhou, Xuejie Xie, Xiaonan Zhao, Yanan Dong, Jing Wang, Weibin Chen, Qunwen Leng, Lihui Bai, Yanxue Chen, Shishou Kang, Yaowen Liu, Shishen Yan, Yufeng Tian, Perpendicular effective field induced by spin-orbit torque and magnetization damping in chiral domain walls, Physical Review B, Vol. 107(10), 104411 (2023)；
3.Zhi Li, Kun Zhang, Lvkang Shen, Xuejie Xie, Weibin Chen, Zitong Zhou, Lu Lu, Ming Liu, Shishen Yan, Weisheng Zhao and Qunwen Leng, Field-free Magnetization Switching induced by Bulk Spin-Orbit Torque in (111)-oriented CoPt Single Layer with Tilted Perpendicular Magnetic Anisotropy, ACS Applied Electronic Materials 4 (8), 4033-4041 (2022)；
4.Shaohua Yan, Weibin Chen, Zitong Zhou, Zhi Li, Zhiqiang Cao, Shiyang Lu, Dapeng Zhu, Weisheng Zhao and Qunwen Leng, Seed layer thickness induced the reversal of pinning direction in the synthetic spin valve, Nanomaterials 12 (12), 2077 (2022)；
5.Zitong Zhou, Kun Zhang and Qunwen Leng, Tunneling Magnetoresistance (TMR) Materials and Devices for Magnetic Sensors, "Spintronics: Materials, Devices and Applications" Book Chapter 3, Wiley Press, pp51-92(2022)；
6.Tie Zhou, Xuejie Xie, Xiaonan Zhao, Yanan Dong, Jing Wang, Weibin Chen, Qikun Huang, Qunwen Leng, Lihui Bai, Yanxue Chen, Shishen Yan, and Yufeng Tian, Critical magnetic field for lifting the degeneracy of monochiral domain walls with strong interlayer antiferromagnetic coupling, Phys. Rev. B 105, 144434 – 27 April 2022；
7.D.Q. Zhu, Z.X. Guo, A. Du, D.R. Xiong, R. Xiao, W.L. Cai, K.W. Shi, S.Z. Peng, K.H. Cao, S.Y. Lu, D.P. Zhu, G.F. Wang, H.X. Liu, Q.W. Leng, W.S. W.S. Zhao, First demonstration of three terminal MRAM devices with immunity to magnetic fields and 10 ns field free switching by electrical manipulation of exchange bias, 2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 17.5.1-17.5.4 (2021)；
8.Z Zhou, S Yan, W Zhao, Q Leng, A review of tunneling magnetoresistance sensor, Acta Physica Sinica, 38 (2021)；
9.S Yan, Z Zhou, Y Yang, Q Leng, W Zhao, Developments and applications of tunneling magnetoresistance sensors, Tsinghua Science and Technology 27 (3), 443-454 (2021)；
10.Z Cao, W Chen, S Lu, S Yan, Y Zhang, Z Zhou, Y Yang, Z Li, W Zhao, Q Leng, Tuning the linear field range of tunnel magnetoresistive sensor with MgO capping in perpendicular pinned double-interface CoFeB/MgO structure, Applied Physics Letters 118 (12), 122402 (2021).
【专利】美国专授权利60余项,中国授权专利50余项，下面列举典型的专利：
1.Quanbo Zou, Qunwen Leng, Zhe Wang., Microphone , US-11297441-B2, filed on 2018.9.6 & granted on 2022.4.5;
2.Shaoping Li, Gerardo A. Bertero, Ming Mao, Shihai He, Steven C. Rudy, Haiwen Xi, Zhipeng Li, Haifeng Wang, Jianxin Fang, Zhihong Zhang, Yingbo ZHANG, Qunwen Leng, Christopher L. Beaudry, Ruisheng Liu., Read sensor having an insulating layer capable of use in two-dimensional magnetic recording, US-9715889-B1, filed on 2016.8.18 & granted on 2017.7.25;
3.Joshua Jones, Christian Kaiser, Yuankai Zheng, Qunwen Leng., Magnetic reader having a nonmagnetic insertion layer for the pinning layer, US-10242700-B2, filed on 2017.11.20 & granted on 2019.3.26;
4.Gerardo A. Bertero, Shaoping Li, Qunwen Leng, Yuankai Zheng, Rongfu Xiao, Ming Mao, Shihai He, Miaoyin Wang., Free layer magnetic reader that may have a reduced shield-to-shield spacing, US-10121501-B2, filed on 2017.5.17 & granted on 2018.11.6;
5.Christian Kaiser, Qunwen Leng., Magnetic sensor with thin capping layer, US-9361914-B1, filed on 2014.6.18 & granted on 2016.6.7;
6.Qunwen Leng, Laurence L. Chen, Yimin Guo, Yuankai Zheng, Mahendra Pakala., Method and system for providing a magnetic read transducer having a bilayer magnetic seed layer, US-8638529-B1, filed on 2013.4.1 & granted on 2014.1.28;
7.Chando Park, Qunwen Leng, Mahendra Pakala., Method for fabricating a magnetic recording transducer, US-9003640-B1, filed on 2013.2.4 & granted on 2015.4.14;
8.邹泉波; 冷群文; et al,微机电系统磁阻传感器、传感器单体及电子设备,发明专利CN112014778B，于2020.08.24申请，于2023.11.07授权;
9.冷群文; 曹志强; et al，单、双轴磁场传感器及其制备方法，发明专利CN108387852B，于2018.04.23申请，于2024.07.19授权；
10.冷群文; 闫韶华; et al，电流传感器、电子设备和检测装置，发明专利CN114509593B，于2021.12.31申请，于2024.11.26授权. -
更新时间：2025年11月