教师队伍
交叉研究中心（按姓名拼音排序）
冷群文
研究方向： 自旋电子学 TMR磁场/电流传感器 自旋微机电声学传感器
联系电话： 15964215988
电子邮件： qleng@bitjx.edu.cn
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个人简介
冷群文教授是我国自旋电子学材料与器件研究领域的杰出专家，在学术研究及产业化应用方面深耕三十余载，取得了丰硕的成果。他累计获得国内外发明专利授权100余项，其中美国专利占比超过60%；在领域内顶级期刊和会议上发表高水平论文50余篇，出版英文专著3部；作为特邀专家主持或参与Intermag、TMRC等国际知名学术会议50余次，在学术界和产业界均具有重要影响力。
在产业实践方面，冷教授曾担任美国西部数据公司（全球磁存储硬盘行业头部企业）首席研发专家，主持十余代基于隧道磁阻（TMR）技术的硬盘驱动器磁头研发工作，累计研发经费逾千万美元。他带领团队成功突破了磁硬盘存储千兆比特容量瓶颈，为行业发展作出重大贡献。凭借卓越的技术成就，他多次获得公司最高荣誉，包括杰出技术成就奖、特别总裁奖、特别人才奖、领导能力奖（西部数据研发领域最高奖项）、年度发明专利奖等多项殊荣。
在担任歌尔微电子（微机电系统领域头部企业）副总裁期间，冷教授主持了《新一代MEMS麦克风研发及产业化》重大研发项目。该项目创新性地将巨磁阻效应与MEMS结构相结合，成功实现"机械-磁场-电压"信号转换，攻克了自旋电子纳米级磁场空间分辨与MEMS微米级应变精度的精准匹配技术难题，研制出全新结构的新一代自旋MEMS麦克风，其信噪比性能显著超越传统产品，为MEMS声学传感器领域带来革命性突破。
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教育经历
1.本科 1980.09-1985.07，清华大学，近代物理学
2.硕士 1985.09-1988.11，中科院物理所，物理学
4.博士 1991.11-1994.06，德国 科隆大学，物理学 -
工作经历
1.访问学者 1994.07-1995.12，德国马克斯普朗克微结构物理研究所
2.博士后 1996.01-1996.05，美国阿拉巴马大学信息技术材料中⼼
3.首席工程师 1996.12-2000.05，美国里德赖特公司
4.首席工程师 2001.08-2004.03，美国千兆比特光学公司
5.研发总监 2005.08-2015.12，美国西部数据公司
7.副总经理 2016.10-2023.06，美国歌尔微电子公司
9.特聘教授 2024.05-至今，北京理工大学/北京理工大学长三角研究院（嘉兴） -
研究领域
1.自旋电子学
2.TMR磁场/电流传感芯片
3.自旋微机电声学传感芯片 -
代表性学术成果
01. Chen W, Yan S, Cao Z, et al. Magnetic coupling governed pinning directions in magnetic tunnel junctions under magnetic field annealing with zero magnetic field cooling[J]. Science China Information Sciences, 2023, 66(4): 149402.
02. Zhou T, Zhou S, Xie X, et al. Perpendicular effective field induced by spin-orbit torque and magnetization damping in chiral domain walls[J]. Physical Review B, 2023, 107(10): 104411.
03. Li Z, Zhang K, Shen L, et al. Field-free magnetization switching induced by bulk spin–orbit torque in a (111)-oriented CoPt single layer with in-plane remanent magnetization[J]. ACS Applied Electronic Materials, 2022, 4(8): 4033-4041.
04. Yan S, Chen W, Zhou Z, et al. Reversal of the pinning direction in the synthetic spin valve with a NiFeCr seed layer[J]. Nanomaterials, 2022, 12(12): 2077.
05. Zhou T, Xie X, Zhao X, et al. Critical magnetic field for lifting the degeneracy of monochiral domain walls with strong interlayer antiferromagnetic coupling[J]. Physical Review B, 2022, 105(14): 144434.
06. Chen W, Hao R, Lu S, et al. Influence of seed layer on the magnetoresistance properties in IrMn-based magnetic tunnel junctions[J]. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2022, 546: 168674.
07. Yan S, Zhou Z, Yang Y, et al. Developments and applications of tunneling magnetoresistance sensors[J]. Tsinghua Science and Technology, 2021, 27(3): 443-454.
08. Cao Z, Chen W, Lu S, et al. Tuning the linear field range of tunnel magnetoresistive sensor with MgO capping in perpendicular pinned double-interface CoFeB/MgO structure[J]. Applied Physics Letters, 2021, 118(12).
09. Cao Z, Wei Y, Chen W, et al. Tuning the pinning direction of giant magnetoresistive sensor by post annealing process[J]. Science China Information Sciences, 2021, 64(6): 162402.
10. Lei Z, Yan S, Cao Z, et al. High TMR for both in-plane and perpendicular magnetic field justified by CoFeB free layer thickness for 3-D MTJ sensors[J]. AIP Advances, 2019, 9(8).
11. Chen W, Lin Y, Zhang K, et al. Spin orbit torque locally controlling exchange bias to realize high detection sensitivity of two-dimensional magnetic field[J]. Fundamental Research, 2023.
12. Zi-Tong Z, Shao-Hua Y, Wei-Sheng Z, et al. Research progress of tunneling magnetoresistance sensor[J]. Acta Physica Sinica, 2022, 71(5).
13. Li Z, Zhang K, Chen W, et al. Uniform CoPt permanent magnetic film with high in-plane coercivity[C]//2021 5th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM). IEEE, 2021: 1-3.02 -
授权发明专利
美国专利60余项，下面列举：
01.Quanbo Zou, Qunwen Leng, Zhe Wang. MEMS microphone（微机电麦克风）: 美国，US 2020/0267480 A1 (P). 2020.08.
02.Quanbo Zou, Qunwen Leng, Zhe Wang. Microphone（麦克风）: 美国，US 2020/0236471 A1 (P). 2020.07.
03.Joshua Jones, Christian Kaiser, Yuankai Zheng, Qunwen Leng. Magnetic reader having a nonmagnetic insertion layer for the pinning layer（具有用于钉扎层的非磁性插入层的磁性读取器）: 美国，US 10,242,700 B2 (P). 2019.03.
04.Gerardo A. Bertero, Shaoping Li, Qunwen Leng, Yuankai Zheng, Rongfu Xiao, Ming Mao, Shihai He, Miaoyin Wang. Free layer magnetic reader that may have a reduced shield - to - shield spacing（可减小屏蔽间距的自由层磁读取器）: 美国，US 10,121,501 B2 (P). 2018.11.
05.Yuankai Zheng, Qunwen Leng. Recording read heads with a multi - layer AFM layer methods and apparatuses（利用多层 AFM 层记录读磁头的方法和装置）: 美国，US 10,008,219 B2 (P). 2018.06.
06.Quanbo Zou, Qunwen Leng, Zhe Wang. Microphone（麦克风）: 美国，US 11,297,441 B2 (P). 2022.04.
07.Quanbo Zou, Qunwen Leng, Zhe Wang. MEMS microphone（微机电麦克风）: 美国，US 11,102,586 B2 (P). 2021.08.
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